企业简介
苏州晶湛半导体有限公司 main business:半导体材料及器件、电子产品、电气设备的设计、生产、销售及咨询服务，从事上述产品及技术的进出口业务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动） and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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苏州晶湛半导体有限公司的工商信息
- 91320594592520797R
- 在业
- 有限责任公司
- 2012-03-09
- 程凯
- 3350.79万元人民币
- 2012-03-09 至 永久
- 苏州工业园区市场监督管理局
- 2016-04-08
- 苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢（NW-20幢）517-A室
- 半导体材料及器件、电子产品、电气设备的设计、生产、销售及咨询服务，从事上述产品及技术的进出口业务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
苏州晶湛半导体有限公司的域名
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 公司官网 | www.enkris.com |
苏州晶湛半导体有限公司的商标信息
苏州晶湛半导体有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN103337516B | 增强型开关器件及其制造方法 | 2016.08.17 | 本发明公开了一种增强型开关器件及其制造方法，通过在氮化物沟道层中嵌入p型氮化物层，使得位于栅极区的p |
| 2 | CN103681795B | III族氮化物半导体结构及其制造方法 | 2017.03.15 | 本发明公开了一种III族氮化物半导体结构及其制造方法，该结构包括：衬底；位于衬底上的成核层，成核层为 |
| 3 | CN103500763B | Ⅲ族氮化物半导体器件及其制造方法 | 2017.03.15 | 本发明公开了一种Ⅲ族氮化物半导体器件及其制造方法。该Ⅲ族氮化物半导体器件包括生长在衬底上的氮化物半导 |
| 4 | CN103715256B | 基于氟离子注入的增强型器件及其制造方法 | 2017.01.18 | 本发明公开了一种基于氟离子注入的增强型器件及其制造方法，所述器件包括衬底、在衬底上形成的外延多层结构 |
| 5 | CN103117303B | 一种氮化物功率器件及其制造方法 | 2016.08.17 | 本发明提供了一种氮化物功率器件及其制造方法。该氮化物功率器件在现有器件结构的基础上，在硅衬底上制作出 |
| 6 | CN102851733B | 氮化镓基材料及器件的制备系统和制备方法 | 2016.08.17 | 本发明公开了一种氮化镓基材料及器件的制备系统和制备方法，该系统为集成系统，包括：一个或多个MOCVD |
| 7 | CN102903738B | Ⅲ族氮化物半导体器件及其制造方法 | 2016.08.17 | 本发明公开了一种Ⅲ族氮化物半导体器件及其制造方法，Ⅲ族氮化物半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上的氮 |
| 8 | CN105702821A | 半导体发光器件及其制造方法 | 2016.06.22 | 本发明实施例提供一种半导体发光器件及制造方法，发光器件包括绝缘基底、电流扩散层、发光结构层以及绝缘层 |
| 9 | CN105591004A | 基于图形化Si衬底的LED外延片及其制备方法 | 2016.05.18 | 本发明公开了一种基于图形化Si衬底的LED外延片及其制备方法，所述LED外延片包括：图形化Si衬底、 |
| 10 | CN102916046B | 硅衬底上氮化物高压器件及其制造方法 | 2016.04.13 | 本发明提供了一种硅衬底上氮化物高压器件及其制造方法。该硅衬底上氮化物高压器件通过在漏极区域引入高电压 |
| 11 | CN102856370B | 一种增强型开关器件 | 2016.04.13 | 本发明公开了一种增强型开关器件，通过在栅极区域引入非平面的台阶状结构，产生氮化镓的非极性面或半极性面 |
| 12 | CN102851734B | 半导体外延结构及其生长方法 | 2015.11.25 | 本发明公开了一种半导体外延结构及其生长方法，该半导体外延结构包括：形成于衬底上的成核层；形成于所述成 |
| 13 | CN103311284B | 半导体器件及其制作方法 | 2015.11.25 | 本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，该半导体器件包括：半导体器件有源区；位于半导体器件有源区上的 |
| 14 | CN102856359B | 半导体外延结构及其生长方法 | 2015.11.25 | 本发明公开了一种半导体外延结构及其生长方法，该半导体外延结构包括：形成于硅衬底上的成核层；形成于所述 |
| 15 | CN103117294B | 氮化物高压器件及其制造方法 | 2015.11.25 | 本发明公开了一种氮化物高压器件及其制造方法，氮化物高压器件包括：硅衬底；位于所述硅衬底上的氮化物成核 |
| 16 | CN102856163B | 半导体外延结构及其生长方法 | 2015.09.09 | 本发明公开了一种半导体外延结构，包括：形成于硅或者碳化硅衬底上的氮化物成核层、所述氮化物成核层上的氮 |
| 17 | CN102683394B | 一种增强型器件及其制造方法 | 2014.12.10 | 本发明公开了一种增强型器件及其制造方法。根据本发明的一个方面的增强型器件，通过将势垒层设计成三明治结 |
| 18 | CN104051522A | 一种增强型氮化物半导体器件及其制造方法 | 2014.09.17 | 本发明公开一种增强型氮化物半导体器件及其制造方法，该器件包括衬底；依次设于衬底上的氮化物成核层、氮化 |
| 19 | CN103715086A | 一种增强型器件的制造方法 | 2014.04.09 | 本发明公开了一种增强型器件的制造方法，所述方法包括：提供一衬底；在所述衬底上沉积氮化物沟道层，氮化物 |
| 20 | CN103715256A | 基于氟离子注入的增强型器件及其制造方法 | 2014.04.09 | 本发明公开了一种基于氟离子注入的增强型器件及其制造方法，所述器件包括衬底、在衬底上形成的外延多层结构 |
| 21 | CN103681992A | 半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法 | 2014.03.26 | 本发明公开了一种半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法，所述半导体衬底包括第一半导体层以及位于所 |
| 22 | CN103681795A | III族氮化物半导体结构及其制造方法 | 2014.03.26 | 本发明公开了一种III族氮化物半导体结构及其制造方法，该结构包括：衬底；位于衬底上的成核层，成核层为 |
| 23 | CN103632948A | 一种半导体器件及其制造方法 | 2014.03.12 | 发明公开了一种半导体器件的制造方法，提供一衬底；在衬底上依次形成半导体层、硅附加层和光刻掩膜层；在硅 |
| 24 | CN103531615A | 氮化物功率晶体管及其制造方法 | 2014.01.22 | 本发明公开了一种氮化物功率晶体管及其制造方法，该氮化物功率晶体管包括：硅衬底，硅衬底中包括用以形成空 |
| 25 | CN103500763A | Ⅲ族氮化物半导体器件及其制造方法 | 2014.01.08 | 本发明公开了一种Ⅲ族氮化物半导体器件及其制造方法。该Ⅲ族氮化物半导体器件包括生长在衬底上的氮化物半导 |
| 26 | CN103337516A | 增强型开关器件及其制造方法 | 2013.10.02 | 本发明公开了一种增强型开关器件及其制造方法，通过在氮化物沟道层中嵌入p型氮化物层，使得位于栅极区的p |
| 27 | CN103311284A | 半导体器件及其制作方法 | 2013.09.18 | 本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，该半导体器件包括：半导体器件有源区；位于半导体器件有源区上的 |
| 28 | CN103117303A | 一种氮化物功率器件及其制造方法 | 2013.05.22 | 本发明提供了一种氮化物功率器件及其制造方法。该氮化物功率器件在现有器件结构的基础上，在硅衬底上制作出 |
| 29 | CN103117294A | 氮化物高压器件及其制造方法 | 2013.05.22 | 本发明公开了一种氮化物高压器件及其制造方法，氮化物高压器件包括：硅衬底；位于所述硅衬底上的氮化物成核 |
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